0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| شماره قطعه | TK650A60F,S4X | سازنده | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| شرح | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- | وضعیت وضعیت سرب / وضعیت RoHS | سرب رایگان / RoHS مطابق با |
| مقدار موجود | 58322 pcs | ورق اطلاعات | TK650A60F,S4X.pdf |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 1.16mA | VGS (حداکثر) | ±30V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | کننده بسته بندی دستگاه | TO-220SIS |
| سلسله | U-MOSIX | RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 650 mOhm @ 5.5A, 10V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 45W (Tc) | بسته بندی | Tube |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 Full Pack | نامهای دیگر | TK650A60F,S4X(S TK650A60FS4X TK650A60FS4X(S |
| دمای عملیاتی | 150°C | نصب و راه اندازی نوع | Through Hole |
| سطح حساس رطوبت (MSL) | Not Applicable | وضعیت وضعیت سرب / وضعیت RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1320pF @ 300V | گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 34nC @ 10V |
| نوع FET | N-Channel | FET ویژگی | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600V |
| توصیف همراه با جزئیات | N-Channel 600V 11A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS | کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
| فدرالکس | www.FedEx.com | هزینه حمل و نقل پایه 35.00 دلار به منطقه و کشور بستگی دارد. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | هزینه حمل و نقل پایه 35.00 دلار به منطقه و کشور بستگی دارد. |
| یو پی اس | www.UPS.com | هزینه حمل و نقل پایه 35.00 دلار به منطقه و کشور بستگی دارد. |
| TNT | www.TNT.com | هزینه حمل و نقل پایه 35.00 دلار به منطقه و کشور بستگی دارد. |
